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申请/专利权人：深圳大学;深圳市银宝山新科技股份有限公司
摘要：本发明公开一种光刻胶剥离方法，包括步骤：在衬底表面涂覆光刻胶，然后进行烘烤、曝光、显影，得到图案化的光刻胶层；在所述光刻胶层和显影后露出的衬底表面沉积金属层；使用微纳米加工技术刻蚀所述光刻胶层侧壁表面的金属层，露出所述光刻胶层；使用光刻胶剥离液去除所述光刻胶层，实现光刻胶的剥离。本发明的光刻胶剥离方法，操作简便，兼容性高，适用范围广，对衬底、光刻胶、金属层材质和厚度等均无要求，剥离质量高且能得到精度误差小的金属图形，可用于制作器件的引线和电极、刻蚀掩膜等。
主权项：1.一种光刻胶剥离方法，其特征在于，包括步骤：在衬底表面涂覆光刻胶，然后进行烘烤、曝光、显影，得到图案化的光刻胶层；在所述光刻胶层和显影后露出的衬底表面沉积金属层；使用微纳米加工技术刻蚀所述光刻胶层侧壁表面的金属层，露出所述光刻胶层；使用光刻胶剥离液去除所述光刻胶层，实现光刻胶的剥离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 深圳市银宝山新科技股份有限公司 一种光刻胶剥离方法
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