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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本申请提供一种锗基的传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法，锗基的传感器结构可以包括受主衬底、受主衬底上的介质层和介质层上的多量子阱层，多量子阱层包括沿垂直受主衬底表面的第一方向上依次层叠的势垒层和势阱层，势垒层和势阱层包括锗材料，多量子阱层中包括沿第一方向贯穿多量子阱层的第一掺杂区和第二掺杂区，二者掺杂类型相反，分别用于连接第一电极和第二电极。多量子阱层相比于传统的锗吸收层具有更高的载流子注入效率，此外，多量子阱层沿横向延伸沿纵向堆叠，而用于连接电极的第一掺杂区和第二掺杂区沿纵向延伸，使多量子阱中产生的载流子沿横向移动，提高量子效率和响应度。还增加了谐振腔效应，进一步提高量子效率和响应度。
主权项：1.一种锗基的传感器结构，其特征在于，包括：受主衬底；所述受主衬底上的介质层；所述介质层上的多量子阱层，所述多量子阱层包括沿垂直受主衬底表面的第一方向上依次层叠的势垒层和势阱层，所述势垒层和所述势阱层包括锗材料；沿所述第一方向贯穿所述多量子阱层的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相反，分别用于连接第一电极和第二电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州诺尔光电科技有限公司 一种锗基的传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法
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