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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及光电探测技术领域。本发明提供了一种AlScN宽禁带半导体辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器，吸收层为AlScN吸收层，AlScN吸收层中由于Sc的原子序数较大，使得AlScN吸收层能够有效的吸收辐射能量，AlScN吸收层的引入能够提升宽禁带半导体辐射探测器的能量沉积效率，从而优化探测器器件性能；同时AlScN吸收层的引入能够与外延层形成异质结结构，该结构能通过增大耗尽层宽度提升宽禁带半导体辐射探测器的能量沉积效率，提高能量分辨率；同时AlScN吸收层的引入能够降低半导体表面陷阱电荷密度，外加偏压下，反向泄漏电流降低。
主权项：1.一种AlScN宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，包括：衬底，其一表面依次层叠设有半导体缓冲层、外延层、吸收层；第一金属电极层，其与所述吸收层相接触；第二金属电极层，其位于所述衬底远离所述半导体缓冲层的表面；其中，所述吸收层为AlScN吸收层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种AlScN宽禁带半导体辐射探测器及其制备方法
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