首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

二维材料场效应晶体管及其制造方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:浙江大学杭州国际科创中心

摘要:本申请涉及二维材料场效应晶体管及其制造方法。该方法包括:形成层叠于介电层并间隔设置的第一电极图案和第二电极图案,介电层包括层叠设置的一个或两个六方氮化硼层;形成层叠于第一电极图案和第二电极图案的转印贴合层;将介电层结合到沟道层;以及去除转印贴合层。该方法可以方便地、良好地实现电极图案的形成与转印,保证了二维材料场效应晶体管的电学性能。

主权项:1.用于制造二维材料场效应晶体管的方法,其特征在于,包括:形成层叠于介电层并间隔设置的第一电极图案和第二电极图案,所述介电层包括层叠设置的一个或两个六方氮化硼层;形成层叠于所述第一电极图案和所述第二电极图案的转印贴合层;将所述介电层结合到沟道层;以及去除所述转印贴合层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江大学杭州国际科创中心 二维材料场效应晶体管及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。