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一种在稀磁半导体表面诱导自旋电流并探测其信号的方法及其应用 

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申请/专利权人:云南大学;华彩光能科技(云南)有限公司

摘要:本发明公开了一种在稀磁半导体表面诱导自旋电流并探测其信号的方法及其应用,涉及光电探测领域,适用于具有较强自旋轨道耦合效应的稀磁半导体材料。方法为,在稀磁半导体材料表面沉积Pt金属层覆盖样品,并在Pt金属层表面沉积一对Ag电极,然后使用圆偏振激光以非垂直入射的角度照射在沉积的Pt金属层表面,最后改变圆偏振光的圆偏振度,对沉积金属层表面的光电流信号进行收集。本发明还提供该方法在光电探测中的应用。本发明的方法操作简便,适用范围广,探测效果显著,可在室温下实现对稀磁半导体材料中自旋电流的探测,具有较强的优越性。解决了现有技术缺乏对稀磁半导体材料中的自旋属性的直观、便捷且对样品无损的有效检测方法的问题。

主权项:1.一种在稀磁半导体表面诱导自旋电流并探测其信号的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1、取稀磁半导体样品在其上表面沉积Pt金属层,然后在Pt金属层上部制备一对金属电极;S2、使用可调节圆偏振度的圆偏振激光,对Pt金属层表面以非垂直入射的角度进行照射,缓慢改变激光的圆偏振度,使用探针台与金属电极两端接触,收集在不同偏振度下产生的光电流,完成自旋电流的诱导和探测。

全文数据:

权利要求:

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