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申请/专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
摘要：本公开涉及一种电压调节电路、高压调节电路以及设备，电压调节电路被形成在表面覆盖有氮化镓层的单片半导体衬底的内部和顶部，包括：第一端子与第二端子之间的第一电阻器和第一d模式型HEMT晶体管；以及第一端子与第三端子之间的第二d模式型HEMT晶体管；其中第一电阻器与第一晶体管之间的中点被耦合至第一晶体管和第二晶体管的栅极。
主权项：1.一种电压调节电路，其特征在于，包括：单片半导体衬底，所述单片半导体衬底的表面覆盖有氮化镓层；第一端子；第二端子；第三端子；第一电阻器，在所述第一端子与所述第二端子之间；第一d模式型HEMT晶体管，在所述第一端子与所述第二端子之间；以及第二d模式型HEMT晶体管，在所述第一端子与所述第三端子之间；其中所述第一电阻器与所述第一d模式型HEMT晶体管之间的中点被耦合至所述第一d模式型HEMT晶体管和所述第二d模式型HEMT晶体管的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(鲁塞)公司 电压调节电路、高压调节电路以及设备
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