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一种三维离子系综微米级形态调控方法 

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申请/专利权人:西安空间无线电技术研究所

摘要:本发明公开了一种三维离子系综微米级形态调控方法,通过构建由四组平行极杆组成的四极杆线形离子阱结构,四组极杆中,在一对对角极杆上施加正向射频势,在另外一对对角极杆上施加反向射频势实现离子的径向约束;四组极杆中,在每一组极杆的两端共八个端上,叠加直流电势实现离子的轴向约束。依据三维离子系综的位置、形状及功能等调控要求,通过在射频离子阱极杆上直接施加逻辑复合静电势,实现三维离子系综的多自由度高效精细调控。该方法在不改变离子阱结构的前提下,通过开发新型真空腔外离子调控电磁场系统,实现了三维离子系综多自由度平动、转动及形状的精细调控。

主权项:1.一种三维离子系综微米级形态调控方法,其特征在于,包括:构建由四组平行的极杆组成的四极杆线形离子阱结构;其中,四组平行的极杆的截面质心呈正方形排布;对四极杆线形离子阱结构进行离子的径向约束:四组平行的极杆中,在一对对角极杆上施加正向射频势,在另一对对角极杆上施加反向射频势,以实现离子的径向约束;对四极杆线形离子阱结构进行离子的轴向约束:四组平行的极杆中,在每一组极杆的两端共八个端上叠加直流电势,以实现离子的轴向约束;每组极杆由三段构成,每一段均为无磁不锈钢,依次编号为A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3和C4;A1、A2、A3、A4为一组端电极,C1、C2、C3、C4为另一组端电极;其中,下角标编号相同的构成一组极杆,每组极杆的三段电极间通过共轴陶瓷环紧密衔接并实现绝缘隔离;在每一组极杆的两端共八个端上叠加直流电势,包括:采用八路程控电源提供八路直流电势,分别记为DC1、DC2、DC3、DC4、DC5、DC6、DC7、DC8;将DC1施加在一组端电极C1、C2、C3、C4上,DC2施加在另一组端电极A1、A2、A3、A4上,用于实现离子的轴向囚禁和平动控制;将DC3施加在一组竖直平面相邻电极A1、B1、C1、A4、B4、C4上,用于控制离子在径向平面的前后方向运动;将DC4施加在一组水平平面相邻电极A1、B1、C1、A2、B2、C2上,用于控制离子在径向平面的上下方向运动;将DC5施加在一对对角电极A1、B1、C1、A3、B3、C3上,DC6施加在另一对对角电极A2、B2、C2、A4、B4、C4上,分别用于控制离子的径向相对分布和选择性净化囚禁离子;将DC7施加在一对对角端电极A1、A4、C2、C3上,用于控制离子的前后面维度转动;将DC8施加在另一对对角端电极A1、A2、C3、C4,用于控制离子的上下面维度转动。

全文数据:

权利要求:

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