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申请/专利权人：北京航空航天大学
摘要：本发明属于氧化锌薄膜半导体器件技术领域，具体公开了一种氧化锌压电薄膜体声波谐振器及制备方法，包括基底，所述基底包括上平面，所述上平面上设有下电极层，下电极层上设有掺杂氧化锌压电层，掺杂氧化锌压电层上表面与上电极层接触，下表面与下电极层接触，所述掺杂氧化锌压电层包括ZnO主组分以及掺杂组分，掺杂组分包括P型掺杂源、N型掺杂源和加工带入掺杂源中的一种或多种的组合。本发明组分设计合理，磁控溅射制备工艺优化，具有高灵敏度的压电效应，压电层组分含量更接近预设组分含量，具有很宽的工作频率范围，可以覆盖多种应用场景。
主权项：1.一种氧化锌压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括基底，所述基底包括上平面，所述上平面上设有下电极层，下电极层上设有掺杂氧化锌压电层，掺杂氧化锌压电层上表面与上电极层接触，下表面与下电极层接触，所述掺杂氧化锌压电层包括氧化锌主组分以及掺杂组分，掺杂组分包括P型掺杂源、N型掺杂源和加工带入掺杂源中的一种或多种的组合；所述氧化锌主组分在掺杂氧化锌压电层中的含量不低于80mol%；所述P型掺杂源包括含有Mg、Fe、V、Cr中一种元素或多种元素组合的掺杂成分；P型掺杂源在掺杂氧化锌压电层中的组分含量为7-12mol%；所述N型掺杂源包括含有Al、In、Ga中一种元素或多种元素组合的掺杂成分；N型掺杂源在掺杂氧化锌压电层中的组分含量为0.1-10mol%；所述加工带入掺杂源为加工过程中带入的掺杂，包括含有Zr元素的掺杂成分；加工带入掺杂源在掺杂氧化锌压电层中的组分含量为0-1.5mol%；所述氧化锌压电薄膜体声波谐振器中还包括声波反射结构；各掺杂组分中的所有元素均以氧化物的形式掺杂到掺杂氧化锌压电层中，所述掺杂氧化锌压电层采用磁控溅射方法得到，根据金属原子的束缚能对各组分进行分组并分别进行靶材制备，并对每一个靶材采用独立的靶枪进行磁控溅射，金属原子的束缚能是指磁控溅射过程中使靶材中的金属原子脱离靶材并成为离位原子态所需的能量；各组分在掺杂氧化锌压电层中各处的实际含量与其预设含量偏差不高于第一阈值，各组分在掺杂氧化锌压电层中各处的实际含量之间的偏差不高于第二阈值。
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百度查询： 北京航空航天大学 一种氧化锌压电薄膜体声波谐振器及制备方法
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