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申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材的制备方法，采用氧化铟铈钽钛前驱体经过烧结得到氧化铟钛钽铈靶材；所述烧结的工艺参数为：将氧化铟铈钽钛前驱体置于烧结炉中，以0.5‑1℃min升温至600‑800℃，保温2‑3h，以0.8‑1.2℃min升温至1200‑1350℃，进行保温时间为5～10h，继续以0.8‑1.2℃min升温至1450‑1520℃，进行保温6‑8h，自然降温得到氧化铟钛钽铈靶材；氧化铟铈钽钛前驱体中含有氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈；氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈的摩尔比为81‑87：2‑8：1‑3：5‑11。该靶材采用梯度烧结的方式，实现了氧化铟钛钽铈靶材的导热性能的提高和电子迁移率的改善。同时，本发明还提供了该靶材。
主权项：1.一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材的制备方法，其特征在于，采用氧化铟铈钽钛前驱体经过烧结得到氧化铟钛钽铈靶材；所述烧结的工艺参数为：将氧化铟铈钽钛前驱体置于烧结炉中，以0.5-1℃min升温至600-800℃，保温2-3h，以0.8-1.2℃min升温至1200-1350℃，进行保温时间为5~10h，继续以0.8-1.2℃min升温至1450-1520℃，进行保温6-8h，自然降温得到氧化铟钛钽铈靶材；氧化铟铈钽钛前驱体中含有氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈；氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈的摩尔比为81-87：2-8：1-3：5-11；所述氧化铟铈钽钛前驱体的制备方法包括如下步骤：步骤1：将氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈、分散剂、粘结剂、去离子水混合制浆球磨；步骤2：将球磨后的浆料干燥、煅烧得到粉末；煅烧温度500-800℃；步骤3：将粉末经过液压成型、冷等静压处理，得到氧化铟铈钽钛前驱体；步骤1中，球磨后，物料粒径为D50＜0.5μm，D90＜1μm；步骤2中，烘干后对物料进行分散，过60-80目筛。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法
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