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申请/专利权人：福州大学
摘要：本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。
主权项：1.一种无侧壁损伤的nano-LED阵列，其特征在于，其外延结构包括：由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、非故意掺杂的GaN缓冲层、n型GaN层、InGaNGaN多量子阱、p型GaN层及纳米金属阵列；所述纳米金属阵列单个纳米点的直径为5nm~500nm，厚度为0.5nm~100nm；所述InGaNGaN多量子阱的周期数为1～20个，每个周期厚度为5～50nm；所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化铝、氮化镓或氧化镓衬底中的一种；所述纳米金属阵列中的金属为镍、铂、钼、钴或钯中的一种；其n型电极位于LED芯片四角的n型GaN层台阶上，通过刻蚀形成；以所述纳米金属阵列作为p型电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州大学 无侧壁损伤的nano-LED阵列及其制作方法
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