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申请/专利权人：意法半导体公司
摘要：本申请涉及集成电路。一种半导体衬底包括掺杂区。预金属化电介质层在该半导体衬底之上延伸。第一金属化层被布置在该预金属化电介质层的顶表面上。金属接触从该第一金属化层延伸到该掺杂区。该预金属化电介质层包括多个子层，并且该第一金属接触由多个子接触形成，每个子接触在这些子层之一中形成。每个第一子接触具有宽度和长度，其中，形成该金属接触的这些子接触的长度全部彼此不同。
主权项：1.一种集成电路，包括：衬底；以及在所述衬底上方的导电金属结构，所述导电金属结构包括第一金属结构和第二金属结构；以及其中：所述第一金属结构与所述第二金属结构相邻；所述第一金属结构包括在第一层级处的第一子结构和在第二层级处的第二子结构，相对于所述第一层级而言，所述第二层级位于离所述衬底更大的距离处；所述第一金属结构的所述第二子结构电耦合到所述第一金属结构的所述第一子结构；所述第二金属结构包括在所述第一层级处的第一子结构和在所述第二层级处的第二子结构；所述第二金属结构的所述第二子结构电耦合到所述第二金属结构的所述第一子结构；所述第一金属结构的所述第一子结构具有比所述第二金属结构的所述第一子结构的长度更大的长度；以及所述第二金属结构的所述第二子结构具有比所述第一金属结构的所述第二子结构的长度更大的长度。
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