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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

摘要：本发明提供一种高良率倒装LED芯片及其制备方法，一种高良率倒装LED芯片的制备方法包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上沉积外延层；在外延层上制备布拉格反射层，并在布拉格反射层中刻蚀贯穿形成布拉格反射层通孔；布拉格反射层通孔的截面由下至上依次增大、且在布拉格反射层的内壁上形成平缓的斜面，本发明中的高良率倒装LED芯片的制备方法，在制备布拉格反射层通孔时，通过控制其在布拉格反射层的内壁上形成平缓的斜面，以消除因斜面呈锯齿状而导致的焊盘在斜坡披覆时会出现空洞的技术问题，避免了空洞处ESD放电，提高了倒装LED芯片的良率。

主权项：1.一种高良率倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上沉积外延层；在所述外延层上制备布拉格反射层，并在所述布拉格反射层中刻蚀贯穿形成布拉格反射层通孔；所述布拉格反射层通孔的截面由下至上依次增大、且在所述布拉格反射层的内壁上形成平缓的斜面；在所述外延层上制备布拉格反射层，并在所述布拉格反射层中刻蚀贯穿形成布拉格反射层通孔的步骤包括：在所述外延层上使用第一材料层与第二材料层交替叠层若干个周期，以形成布拉格反射层；在所述布拉格反射层上得到目标图形；使用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀所述目标图形上的所述第一材料层和所述第二材料层，以形成布拉格反射层通孔；其中，刻蚀所述第一材料层的速率为第一速率，刻蚀所述第二材料层的速率为第二速率，所述第一速率和所述第二速率之比为0.9-1.1；在所述布拉格反射层上得到目标图形的步骤包括：在所述布拉格反射层表面喷涂增粘剂；利用旋涂法在喷涂所述增粘剂之处涂布光刻胶；在涂布所述光刻胶处进行曝光和显影，以得到所述目标图形；使用电感耦合等离子体刻蚀工艺分别以第一速率和第二速率刻蚀所述目标图形上的所述第一材料层和所述第二材料层，以形成布拉格反射层通孔的步骤包括：在腔室内通入Ar2、BCl3，并开启上射频进行电离；开启下射频同时通入Cl2、CHF3、CF4，对所述布拉格反射层进行刻蚀，其中，刻蚀掉的所述布拉格反射层的厚度为其总厚度的四分之一；同时关闭下射频和上射频，并通入N2清理所述腔室、带走刻蚀副产物；重复上述步骤三次；通入O2，并开启上射频、轰击所述光刻胶的表面；关闭上射频，并通入N2清理所述腔室、带走刻蚀副产物；所述电感耦合等离子体刻蚀工艺中上射频的功率为800W-1200W，下射频的功率为500W-700W，腔体压力为4mtorr-8mtorr；所述Ar2的气体流量为10-20sccm，所述Cl2的气体流量为100-200sccm，所述CHF3的气体流量为100-200sccm，所述CF4的气体流量为100-200sccm，所述BCl3的气体流量为10-30sccm，所述O2的气体流量为300-400sccm，所述N2的气体流量为200-300sccm。

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