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申请/专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
摘要：本公开提供了一种静电防护电路、静电防护器件及其制造方法，静电防护电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻和维持电压提升模块构成的电流路径以及第二电阻和第一二极管构成的电流路径，当第一电位大于第二电位时，电流经过第一晶体管、第二晶体管、第一电阻以及维持电压提升模块的路径以释放静电，第一二极管和第二电阻的路径反向截止，当第一电位小于第二电位时，电流经过第一二极管和第二电阻的路径以释放静电，第一晶体管、第二晶体管、第一电阻以及维持电压提升模块的路径反向截止。通过设置维持电压提升模块使得静电防护电路的维持电压可以高于被保护的电路的工作电压，从而将该静电防护电路适用于不同电源电路的ESD防护。
主权项：1.一种静电防护电路，包括：第一晶体管、第二晶体管和第一电阻，所述第一晶体管的基极连接所述第二晶体管的集电极，所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接第一电位，所述第一电阻串联在所述第二晶体管的基极与发射极之间；第二电阻和第一二极管，所述第二电阻串联在所述第一电位与所述第一二极管的阴极之间，所述第一二极管的阳极连接第二电位；以及维持电压提升模块，所述维持电压提升模块的一端连接所述第二晶体管的发射极，另一端连接所述第二电位，所述第一晶体管为PNP三极管，所述第二晶体管为NPN三极管，其中，当所述第一电位大于所述第二电位时，电流经过所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一电阻以及所述维持电压提升模块的路径以释放静电，所述第一二极管和所述第二电阻的路径反向截止，当所述第一电位小于所述第二电位时，电流经过所述第一二极管和所述第二电阻的路径以释放静电，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一电阻以及所述维持电压提升模块的路径反向截止。
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