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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种硅抛光片的微粗糙度与氧化膜厚精确控制方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅抛光片在HF槽内进行清洗。第二步：采用溢流方式进行超纯水清洗。第三步：进行2次SC1溶液清洗。第四步：进行2次与SC1溶液清洗时间保持一致的超纯水清洗。第五步：在DHF槽内进行清洗。第六步：在臭氧水槽内采用溢流方式清洗，完成臭氧水清洗后再用超纯水进行清洗。第七步：硅抛光片经过清洗后干燥采用温水慢提拉结合红外干燥方式。具有操作便捷和质量稳定性好的特点。通过SC1槽的清洗温度与清洗时间精确控制硅片的Haze‑微粗糙度，同时通过臭氧水的清洗时间实现硅片表面氧化膜厚的精确控制。
主权项：1.一种硅抛光片的微粗糙度与氧化膜厚精确控制方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：硅抛光片在HF槽内进行清洗，HF槽内的HF∶超纯水的体积配比为1∶100，清洗温度为25±3℃，清洗时间为300秒；第二步：采用溢流方式进行超纯水清洗，温度为室温，清洗时间为300秒；第三步：进行2次SC1溶液清洗，在SC1溶液槽内药液体积比为NH4OH29％wt∶H2O231％wt∶H2O＝1∶2∶50，洗净温度与洗净时间根据目标氧化膜-Haze值确定，采用药液循环的方式进行清洗；第四步：进行2次与SC1溶液清洗时间保持一致的超纯水清洗，温度为室温，采用溢流方式清洗；第五步：在DHF槽内进行清洗，DHF槽内HF：超纯水的体积配比为1∶1000，温度为室温，采用药液循环的方式进行清洗，清洗时间为240秒；第六步：在臭氧水槽内采用溢流方式清洗，臭氧水的浓度为15±2ppm，完成臭氧水清洗后再用超纯水进行清洗，，臭氧水清洗时间根据目标氧化膜厚确定；超纯水清洗时间与臭氧水清洗时间一致，超纯水清洗与臭氧水清洗的温度为常温；第七步：硅抛光片经过清洗后干燥采用温水慢提拉结合红外干燥方式，慢提拉槽的水温为35℃，提拉速度为1mms，红外干燥温度为60℃，干燥时间为60s。
全文数据：
权利要求：
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