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申请/专利权人：中电海康集团有限公司
摘要：本发明提供一种自旋轨道矩差分存储单元，包括：第一自旋轨道耦合层；第二自旋轨道耦合层，和所述第一自旋轨道耦合层之间保持一定的夹角；连接层，第一自旋轨道耦合层和第二自旋轨道耦合层通过连接层实现电连接；两个磁性隧道结，分别位于第一自旋轨道耦合层和第二自旋轨道耦合层上，两个磁性隧道结的结构相同，且两个磁性隧道结的中心距离小于2倍的自身尺寸，使得两个磁性隧道结的退磁场互相作为磁矩翻转的偏置场。本发明的差分存储单元不需要外加磁场就可以实现互补阻态的存储。
主权项：1.一种自旋轨道矩差分存储单元，其特征在于，包括：第一自旋轨道耦合层；第二自旋轨道耦合层，所述第二自旋轨道耦合层和所述第一自旋轨道耦合层之间保持一定的夹角；连接层，所述第一自旋轨道耦合层和所述第二自旋轨道耦合层通过所述连接层实现电连接；两个磁性隧道结，分别位于所述第一自旋轨道耦合层和所述第二自旋轨道耦合层上，两个所述磁性隧道结的结构相同，且两个所述磁性隧道结的中心距离小于2倍的自身尺寸，使得两个所述磁性隧道结的退磁场互相作为磁矩翻转的偏置场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中电海康集团有限公司 自旋轨道矩差分存储单元及MRAM存储器
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