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申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
摘要：本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，外延层的四周成型有第一沟槽，中心区域成型有第二沟槽；第一沟槽延伸至衬底，第二沟槽延伸至N型GaN层内；P型GaN层上设置有ITO透明导电层，沿着第一沟槽、ITO透明导电层和第二沟槽的表面设置增反膜层，增反膜层上嵌设有Ag反射镜层；沿着增反膜层和Ag反射镜层的表面设置有第一钝化层，第一钝化层上设置有金属导电层，N型金属导电部与N型GaN层相接；P型金属导电部与Ag反射镜层相接。本发明通过设置第一沟槽，可以避免浪费外延层的发光面积，通过设置增反膜层，可以有效提高光的反射效率，从而有效提高LED芯片的亮度。
主权项：1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的外延层，所述外延层的四周成型有第一沟槽，所述外延层的中心区域成型有第二沟槽；所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，所述第一沟槽从所述P型GaN层延伸至所述衬底，所述第二沟槽从所述P型GaN层延伸至所述N型GaN层内；所述P型GaN层上设置有ITO透明导电层，沿着所述第一沟槽、所述ITO透明导电层和所述第二沟槽的表面设置增反膜层，所述增反膜层上嵌设有Ag反射镜层，所述Ag反射镜层位于所述ITO透明导电层上方，所述Ag反射镜层穿过所述增反膜层与所述ITO透明导电层相接；沿着所述增反膜层和所述Ag反射镜层的表面设置有第一钝化层，所述第一钝化层上设置有金属导电层，所述金属导电层包括位于N型区域的N型金属导电部和位于P型区域的P型金属导电部，所述N型金属导电部填平所述第二沟槽的上方区域，所述N型金属导电部穿过所述第一钝化层和所述增反膜层，所述N型金属导电部与所述N型GaN层相接；所述P型金属导电部穿过所述第一钝化层与所述Ag反射镜层相接。
全文数据：
权利要求：
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