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室温氢气传感器及其制备方法 

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申请/专利权人:郑州大学

摘要:本发明公开了一种室温氢气传感器及其制备方法,其中室温氢气传感器包括:二氧化硅基底层、气体敏感层和Au电极层,所述Au电极层位于二氧化硅基底层上方,气体敏感层涂覆在Au电极层和二氧化硅基底层表面;气体敏感层是由气敏材料、氧化铝粉末和乙醇制备而成的,气敏材料是稀土金属掺杂二维过渡金属硫化物材料。本发明利用稀土金属掺杂二维过渡金属硫化物的特殊结构、良好的催化活性、较大的比表面积及对气体分子的良好识别作用,制备出了一种用于室温下检测氢气的传感器,该传感器能够实现室温下对低浓度氢气的灵敏检测,且响应速度快,制备方法简单。

主权项:1.一种室温氢气传感器,其特征在于,包括:二氧化硅基底层、气体敏感层和Au电极层,所述Au电极层位于二氧化硅基底层上方,气体敏感层涂覆在Au电极层和二氧化硅基底层表面;气体敏感层是由气敏材料、氧化铝粉末和乙醇制备而成的,气敏材料是稀土金属掺杂二维过渡金属硫化物材料。

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权利要求:

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