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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：一种竖向功率半导体器件，其包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体主体。半导体主体在第一表面处的区域的细分包括晶体管单元区域，晶体管单元区域包括在半导体主体中的晶体管单元。半导体主体在第一表面处的区域的细分包括围绕晶体管单元区域的边缘终止区域。半导体主体包括在边缘终止区域中的终止结构。半导体主体在第一表面处的区域的细分包括在晶体管单元区域和边缘终止区域之间的栅极线区域。栅极线区域包括在半导体主体上方的栅极线。半导体主体在第一表面处的区域的细分包括在栅极线区域和边缘终止区域之间的源极线或发射极线区域。源极线或发射极线区域包括在半导体主体中的晶体管单元和半导体主体上方的源极线或发射极线。
主权项：1.一种竖向功率半导体器件100，包括：半导体主体102，其具有第一表面1031和与第一表面1031相对的第二表面1032，其中半导体主体102在第一表面1031处的区域的细分包括：晶体管单元区域104，其包括在半导体主体102中的晶体管单元TC；围绕晶体管单元区域104的边缘终止区域106，半导体主体102包括在边缘终止区域106中的终止结构TS；在晶体管单元区域104和边缘终止区域106之间的栅极线区域108，栅极线区域108包括在半导体主体102上方的栅极线1081；和在栅极线区域108和边缘终止区域106之间的源极线区域或者发射极线区域110，源极线区域或者发射极线区域110包括在半导体主体102中的晶体管单元TC，以及在半导体主体102上方的源极线或者发射极线1101。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 竖向功率半导体器件
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