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申请/专利权人：厦门韫茂科技有限公司
摘要：本发明提供了一种采用PEALD制备低氧含量低电阻率的氮化钛的方法，涉及半导体工艺技术领域。通过从制样细节、本底真空度、工艺气体纯度、离子源部件以及工艺配方上进行了彻底的优化，最大限度的降低各个步骤中氧杂质的污染，最终实现了较低氧含量氮化钛薄膜的制备和较低电阻率、较高超导转变温度Tc等电学性能的实现。
主权项：1.一种采用PEALD制备低氧含量低电阻率的氮化钛的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、去除晶圆上的自然氧化层，取出后分别使用丙酮、酒精清洗，再使用去离子水清洗，最后由氮气吹干，以去除衬底表面的有机物和杂质；并将反应腔室压力降低至10e-9torr以下以减少腔室中的氧含量；S2、通过将钛源脉冲进反应腔室，在晶圆上实现自限性饱和化学吸附；S3、通入通过气体纯化器纯化后的惰性气体，将副产物及多余的反应物吹扫干净；S4、向等离子体发生器通入通过气体纯化器纯化后的NH3，以产生氨气离子体，使含N自由基取代含Cl自由基；S5、重复S2步骤，通入惰性气体Ar吹扫多余自由基和氨气，形成单原子层的氮化钛；根据设定循环次数达到实现目标膜厚的沉积。
全文数据：
权利要求：
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