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申请/专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
摘要：披露了含V族元素的前体及其合成方法和在膜沉积上使用其的方法。这些前体是SiR33‑mASiaH2a+1m、SiR33‑n‑pASiaH2a+1nSibH2b+1p或ASiaH2a+1SibH2b+1SicH2c+1其中a1至6；b＝1至6；c＝1至6；a≠b≠c；m＝1至3；n＝1至2，p＝1至2，n+p＝2至3；A＝As、P、Sb、Bi；并且R选自C1至C10直链、支链或环状的烷基、烯基、炔基。这些合成方法包括一种或多种卤代聚硅烷与A的三三烃基甲硅烷基衍生物之间的一步、两步或三步反应，或者两种或三种卤代聚硅烷的混合物与A的三三烃基甲硅烷基衍生物之间的一锅混合反应。沉积方法包括CVD、PECVD、ALD、PEALD、可流动CVD、HW‑CVD、外延等。
主权项：1.一种用于在基材上形成含Si和V族元素的膜的方法，该方法包括：将该基材暴露于含有含Si和V族元素的前体的成膜组合物的蒸气中；以及通过气相沉积方法使该含Si和V族元素的前体的至少一部分沉积到该基材上以在该基材上形成该含Si和V族元素的膜，其中该含Si和V族元素的前体具有以下通式SiR33-mASiaH2a+1m、SiR33-n-pASiaH2a+1nSibH2b+1p或ASiaH2a+1SibH2b+1SicH2c+1其中A是选自P、As、Sb或Bi的V族元素；a＝1至6；b＝1至6；c＝1至6；a≠b≠c；m＝1至3；n＝1至2，p＝1至2，n+p＝2至3；R选自C1至C10直链、支链或环状的烷基、烯基、炔基；前提是如果A＝As，则排除AsSiH33；如果A＝P，则排除PSiH33，PSiH32Si2H5，PSiH3Si2H52，PSi2H53和PSiH32TMS；并且如果A＝Sb，则排除SbSiH33。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 V族元素的无机甲硅烷基和聚甲硅烷基衍生物及其合成方法和使用其沉积的方法
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