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申请/专利权人：山东浩华新材料科技有限公司
摘要：本发明涉及液晶材料领域，具体涉及一种含乙烷桥键负性单体液晶的制备方法，如下：S1、氮气保护下，与对溴苯乙酰氯在三氯化铝等酸性催化下发生傅克酰基化得到中间体；S2、氮气保护下，与发生Suzuki偶联得到中间体；S3、采用黄鸣龙还原将还原为目标化合物，所述的制备方法工艺路线短、原料廉价易得，避免了格氏反应、加氢反应等危险工艺，反应类型简单，保证生产安全顺利进行。
主权项：1.一种含乙烷桥键负性单体液晶的制备方法，其特征在于，所述的制备方法如下： ；S1、制备中间体Ⅰ惰性气体下，在第一溶剂体系中，反应物Ⅰ与酸性催化剂搅拌分散后，滴加对溴苯乙酰氯进行傅克酰基化反应，反应结束后，经后处理得到中间体Ⅰ；S2、制备中间体Ⅱ惰性气体下，在第二溶剂体系中，在碱及Pd类催化剂作用下，中间体Ⅰ和反应物Ⅱ进行加热回流反应，反应结束后，经后处理得到中间体Ⅱ；S3、含乙烷桥键负性单体液晶的制备惰性气体下，在第三溶剂体系中，在强碱条件下，中间体Ⅱ通过黄鸣龙还原反应生成得到目标液晶化合物；其中，R1为C1-C6直链烷基或或C1-C6直链烷烃的烷氧基中的任意一种；R2为C1-C6直链烷基或C1-C6直链烷烃的烷氧基中的任意一种；R3为C1-C6直链烷基。
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权利要求：
百度查询： 山东浩华新材料科技有限公司 一种含乙烷桥键负性单体液晶的制备方法
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