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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：本发明提出了一种应用于Sigma‑DeltaADC的改进型栅压自举开关，包括交叉耦合结构的时钟电压倍乘电路，复用的CMOS传输门。本发明利用复用CMOS传输门根据输入信号大小NMOS管与PMOS管交替开关，使得栅压自举开关可以满足大的输入摆幅，还能提高栅压自举开关的非线性，同时使得采样开关不受衬偏效应的影响，防止PN结正偏。
主权项：1.一种应用于Sigma-DeltaADC的改进型栅压自举开关，其特征在于：其中，开关管M1源极接C1的上极板，栅极接C2的上极板；开关管M2源极接C2的上极板，栅极接C1的上极板；开关管M3漏极接开关管M1和M2的漏极，源极接C3的上极板，栅极接开关管M2衬底；C1下极板接N1输出端，C2下极板接N2输出端；反相器N2输入端接N1输出端；反相器N1输入端接CK；开关管M6栅极接N1输出端，漏极接C3的下极板，源极接地；开关管M16栅极接CK，漏极接C3的下极板，源极接地；开关管M10栅极接nCK，源极接开关管M7的漏极，漏极接地；开关管M17栅极接CK，源极接开关管M7的漏极，漏极接地；开关管M14栅极接N1输出端，漏极接开关管M13的源极，源极接地；开关管M15栅极接CK，漏极接开关管M13的源极，源极接地；开关管M13的栅极接CK，漏极接开关管M11的源极，源极接开关管M11的衬底；开关管M11漏极接Vout，栅极接CK，源极接Vin；开关管M9栅极接开关管M7源极，漏极接开关管M11源极，源极接开关管M6和M16漏极；开关管M12栅极接开关管M9的栅极，源极接开关管M9的源极，漏极接开关管M8的栅极；开关管M8源极接C3上极板，漏极接开关管M7的源极，衬底接M8源极；开关管M7栅极接开关管M3的源极；开关管M4栅极接CK，漏极接M5的漏极，源极接M7的栅极；开关管M5栅极接CK，源极接M6和M16的漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种应用于Sigma-Delta ADC的改进型栅压自举开关
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