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一种微半球唇沿磨抛方法 

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申请/专利权人:湖南二零八先进科技有限公司

摘要:本发明提供一种微半球唇沿磨抛方法,属于半球谐振陀螺制备领域,所述磨抛方法包括以下步骤:S1:将微半球通过装夹机构倒置于磨抛一体设备上,通过旋转和或升降装夹机构,使得微半球的裙边底面外圆与磨抛一体设备的磨削盘点接触,启动磨抛一体设备,以对微半球的裙边进行点磨削,至裙边的外径磨到设定大小以形成唇沿;S2:通过旋转和升降装夹机构,使得微半球的唇沿底面与磨抛一体设备的磨削盘贴合,启动磨抛一体设备,以对微半球的唇沿表面进行面磨削。本发明消除了微半球磨削过程产生崩边的现象,从而改善了因磨抛光唇边不当产生的谐振子Q值降低的情况。

主权项:1.一种微半球唇沿磨抛方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将微半球通过装夹机构倒置于磨抛一体设备上,通过旋转和或升降装夹机构,使得微半球的裙边底面外圆与磨抛一体设备的磨削盘点接触,启动磨抛一体设备,以对微半球的裙边进行点磨削,至裙边的外径磨到设定大小以形成唇沿;S2:通过旋转和升降装夹机构,使得微半球的唇沿底面与磨抛一体设备的磨削盘贴合,启动磨抛一体设备,对微半球的唇沿表面进行面磨削。

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权利要求:

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