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炉管制程控制方法、装置及半导体处理设备 

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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

摘要:本公开涉及一种炉管制程控制方法、装置及半导体处理设备,炉管制程控制方法包括:获取处理室底部的实时温度值、目标制程工艺的工艺温度值,并根据工艺温度值确定目标温度值,目标温度值大于工艺温度值;在执行目标制程工艺之前及之后,控制半导体炉管在预设时间内调整实时温度值至工艺温度值;控制半导体炉管执行若干次预设制程,预设制程包括在半导体炉管对晶舟上的目标晶圆执行目标制程工艺之后,控制半导体机台对晶舟上的目标晶圆执行预设清洗及涂层工艺;能够在执行目标制程工艺时改善炉管内不同区域的温度分布不均的问题,避免同批次的晶圆产生明显的制程差异,从而节省制程成本,并且提高器件可靠度以及产品良率。

主权项:1.一种炉管制程控制方法,其特征在于,用于控制半导体炉管对其处理室内晶舟上的目标晶圆执行目标制程工艺,所述方法包括:获取所述处理室底部的实时温度值、所述目标制程工艺的工艺温度值,并根据所述工艺温度值确定目标温度值,所述目标温度值大于所述工艺温度值;在执行所述目标制程工艺之前及之后,控制所述半导体炉管在预设时间内调整所述实时温度值至所述工艺温度值,所述调整所述实时温度值包括升高所述实时温度值至所述目标温度值后降低所述实时温度值至所述工艺温度值;控制所述半导体炉管执行若干次预设制程,所述预设制程包括在所述半导体炉管对所述晶舟上的目标晶圆执行目标制程工艺之后,控制半导体机台对所述晶舟上的目标晶圆执行预设清洗及涂层工艺。

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权利要求:

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