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申请/专利权人:北京科技大学
摘要:本发明提供了一种埋沟式金刚石器件的制备方法,属于超宽禁带半导体器件领域。其特征在于,包括以下步骤:1)设计器件结构,清洗金刚石衬底;2)在金刚石衬底上制备多层石墨烯结构;3)在石墨烯层上外延生长金刚石层;4)镀制源、漏、栅电极,完成器件制备。本发明将多层石墨烯结构作为隐埋沟道,外延金刚石层作为部分栅氧,具有提高金刚石器件沟道迁移率、击穿电压、增大输出功率的优点。
主权项:1.一种埋沟式金刚石器件制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)设计器件结构,清洗金刚石衬底;2)在金刚石衬底上制备多层石墨烯结构;3)在石墨烯层上外延生长金刚石层;4)镀制源、漏、栅电极,完成器件制备。
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