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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开涉及一种掩膜结构制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构，掩膜结构制备方法包括：提供基底，于基底的顶面形成沿第一方向间隔排布的第一图形；于第一图形沿第一方向的相对两侧的侧壁形成第二图形，第二图形的顶面与第一图形的顶面齐平；去除第一图形，于第二图形沿第一方向的相对两侧的侧壁形成牺牲侧墙，于相邻第二图形之间的间隙内形成第三图形，使任意相邻第二图形以及第三图形之间具有牺牲侧墙；去除牺牲侧墙并基于第二图形与第三图形得到目标掩膜；能够节省膜层结构的处理，简化工艺步骤，降低成本。
主权项：1.一种掩膜结构制备方法，其特征在于，包括：提供基底，于所述基底的顶面形成沿第一方向间隔排布的第一图形；于所述第一图形沿所述第一方向的相对两侧的侧壁形成第二图形，所述第二图形的顶面与所述第一图形的顶面齐平；去除所述第一图形，于所述第二图形沿所述第一方向的相对两侧的侧壁形成牺牲侧墙，于相邻所述第二图形之间的间隙内形成第三图形，使任意相邻所述第二图形以及所述第三图形之间具有所述牺牲侧墙；去除所述牺牲侧墙并基于所述第二图形与所述第三图形得到目标掩膜。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 掩膜结构制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构
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