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申请/专利权人：北京大学;北京知识产权运营管理有限公司
摘要：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上以第一方向依次堆叠设置第一鳍状结构、中间介质层和第二鳍状结构；在第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第一晶体管的第一栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第一鳍状结构的第一表面的至少一部分；基于暴露后的第一鳍状结构，形成所述第一晶体管；倒片并去除所述衬底；在所述第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第二晶体管的第二栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第二鳍状结构的第二表面的至少一部分；基于暴露后的第二鳍状结构，形成所述第二晶体管。通过本申请，可以有效提高半导体结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上以第一方向依次堆叠设置第一鳍状结构、中间介质层和第二鳍状结构；所述中间介质层用于隔离所述第一鳍状结构和所述第二鳍状结构；所述第一鳍状结构用于形成第一晶体管，所述第二鳍状结构用于形成第二晶体管；在第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第一晶体管的第一栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第一鳍状结构的第一表面的至少一部分；所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一表面为所述第一鳍状结构在所述第一栅极区域上与所述中间介质层接触的表面；基于暴露后的第一鳍状结构，形成所述第一晶体管；所述第一晶体管的第一栅极结构覆盖所述第一表面的至少一部分；倒片并去除所述衬底；在所述第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第二晶体管的第二栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第二鳍状结构的第二表面的至少一部分；所述第二表面为所述第二鳍状结构在所述第二栅极区域上与所述中间介质层接触的表面；基于暴露后的第二鳍状结构，形成所述第二晶体管；所述第二晶体管的第二栅极结构覆盖所述第二表面的至少一部分；所述第一晶体管和所述第二晶体管在垂直于有源区的方向上自对准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 北京知识产权运营管理有限公司 半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备
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