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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体结构包含晶体管、接触、前侧电源供应电压线以及后侧电源供应电压线。晶体管在硅层的前侧上，包含通道区域、环绕通道区域的栅极结构以及在栅极结构相对侧的多个源极漏极区域。接触延伸越过硅层且在源极漏极区域中的一者的后侧。由剖面观察，接触具有后侧侧壁、连接至源极漏极区域中的一者的后侧且相对于后侧侧壁横向内缩的前侧侧壁以及将后侧侧壁连接至前侧侧壁的水平表面。前侧电源供应电压线电性连接至源极漏极区域中的一者的前侧。后侧电源供应电压线电性连接至接触。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一晶体管，在一硅层的一前侧上，该晶体管包含一通道区域、环绕该通道区域的一栅极结构以及在该栅极结构相对侧的多个源极漏极区域；一接触，延伸越过该硅层且在所述多个源极漏极区域中的一者的一后侧，其中由一剖面观察，该接触具有一后侧侧壁、连接至所述多个源极漏极区域中的该者的该后侧且相对于该后侧侧壁横向内缩的一前侧侧壁以及将该后侧侧壁连接至该前侧侧壁的一水平表面；一前侧电源供应电压线电性连接至所述多个源极漏极区域中的该者的一前侧；以及一后侧电源供应电压线电性连接至该接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构
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