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一种集成波导馈电的毫米波基片集成介质滤波天线 

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申请/专利权人:南通大学

摘要:本发明涉及一种集成波导(SIW)馈电的毫米波基片集成介质滤波天线,由包括带耦合槽的SIW馈电结构在内的三层基板、添加金属化通孔的介质以及六层金属层组成。在不增加额外电路的情况下,SIW本身自带的高通特性在较低阻带中实现了良好辐射抑制水平;通过在介质上引入金属化通孔把高次模向主模拉近,拓展了带宽;同时更高次模式所形成的天然的辐射零点也随之向低频移,保证通带的高选择性;天线使用基片集成的技术以便于组装。本滤波天线没有额外的滤波电路就能实现良好的滤波性能,介质同时具有辐射和滤波的功能,由于基片集成的设计,增益也比这个频段的天线的增益高,达到9.69dBi,同时在26.89–29.21GHz范围内实现了8.3%的带宽。

主权项:1.一种集成波导馈电的毫米波基片集成介质滤波天线,其特征在于:包括自下而上依次层叠设置的基片集成波导、中间层介质基板(8)和介质块(1),所述介质块(1)位于中间层介质基板(8)的上方,正对于中间层介质基板(8)的中央,两者构成介质谐振器,所述介质块(1)开设有两排对称的沿X方向布置的金属化通孔(2),两排金属化通孔(2)的距离W5的取值范围为(b2,b-0.4mm),b为介质块(1)在Y方向上的长度;中间层介质基板(8)上具有绕介质块(1)设置的顶层介质框(5),所述天线还具有围绕着介质谐振器设置的金属化环形腔体,该金属化环形腔体包括:分别设置于顶层介质框(5)上下两侧的第一金属层(4)和第二金属层(6)、分别设置于所述中间层介质基板(8)上下两侧的第三金属层(7)和第四金属层(9),所述第一金属层(4)、第二金属层(6)、第三金属层(7)和第四金属层(9)通过贯穿顶层介质框(5)和中间层介质基板(8)的金属化通孔短路连接;所述介质块(1)通过Y方向上两侧中部的介质条(3)与顶层介质框(5)相连,成为一个整体。

全文数据:

权利要求:

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