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申请/专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种晶圆埋置芯片无空洞填充工艺，属于先进电子封装技术领域。首先分别制备上圆片和下圆片，然后将上圆片与下圆片进行对准堆叠，最后再进行压合。对准堆叠过程中，使用插入块将上圆片与下圆片隔开，防止填充胶层与基片提前接触。因为插入块的原因，凹槽缝隙处在压合前为真空状态，所以填充胶层会流动到凹槽底部，确保凹槽的无空洞填充。插入块在压合前被撤出，因为离型膜与填充胶层在激光照射下粘性大幅降低，选择一定波长的激光从临时载片表面入射，将离型膜从填充胶层上撕除。本发明的芯片埋置填充工艺，可显著提高工艺均匀性和稳定性，将降低凹槽缝隙内的空洞工艺风险，显著提高产品的可靠性。
主权项：1.一种晶圆埋置芯片无空洞填充工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1）在临时载片（300）的上表面制备粘连胶层（1），之后将离型膜（2）贴合在粘连胶层（1）的上表面，烘烤后得到上圆片；其中，离型膜（2）上设有填充胶层（3）；步骤2）在基片（100）上开设凹槽，将埋置芯片（200）贴片至凹槽内，得到下圆片；步骤3）将上圆片与下圆片进行对准堆叠，堆叠时在上圆片与下圆片之间放置插入块（5），得到待压合结构；步骤4）取出插入块（5），对取出插入块（5）后的待压合结构进行压合，之后对临时载片（300）的下表面进行激光照射，撕除填充胶层（3）上的离型膜（2），完成晶圆埋置芯片的无空洞填充；步骤4）中，对临时载片（300）的下表面进行激光照射时，激光波长200-400nm，以150W-300W的功率照射2-10s；压合的具体工艺条件为：真空环境下，在50-150℃温度下，保持10KN-20KN的压力5-20min。
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权利要求：
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