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申请/专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要：提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例性实施中，方法可包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。该方法可包括允许工艺气体进入处理腔室。该工艺气体可包括臭氧气体。该方法可包括将硅氮化物层和低‑k介电层暴露于工艺气体中以改变所述硅氮化物层的表面润湿角。
主权项：1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括半导体材料，所述工件包括第一层和第二层，工艺包括：将所述工件放置在处理腔室中的工件支撑件上；允许工艺气体进入所述处理腔室，所述工艺气体包括臭氧气体；其中，所述第一层为硅氮化物层，且所述第二层为低-k介电层；以及将所述第一层和所述第二层暴露于所述工艺气体，以相对于所述第二层选择性地减小所述第一层的表面润湿角至少5°，其中所述第二层的表面润湿角被减小小于5°；并且在所述第一层上沉积光阻层；其中，减小所述第一层的表面润湿角改善所述光阻层在所述第一层上的附着；其中，所述方法包括对所述工件进行基于有机自由基的表面处理工艺，以相对于所述硅氮化物层改变所述低-k介电层的表面润湿角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 玛特森技术公司 北京屹唐半导体科技股份有限公司 用于使用臭氧选择性亲水表面处理的方法
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