买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：经度快闪存储解决方案有限责任公司

摘要：提供了半导体器件及其制造方法。这些半导体器件可以具有：非易失性存储器NVM晶体管，该NVM晶体管包括电荷俘获层和阻挡电介质；第一类型的场效应晶体管FET，该第一类型的FET包括具有第一厚度的第一栅极电介质；第二类型的FET，该第二类型的FET包括具有第二厚度的第二栅极电介质；以及第三类型的FET，该第三类型的FET包括具有第三厚度的第三栅极电介质。在一些实施例中，该第一栅极电介质、该第二栅极电介质和该第三栅极电介质包括高介电常数高K电介质层，并且该第一厚度大于该第二厚度，该第二厚度大于该第三厚度。还描述了其他实施例。

主权项：1.一种半导体器件，包括：非易失性存储器NVM晶体管，该NVM晶体管包括具有隧道电介质层、电荷俘获层和阻挡电介质层的SONOS或MONOS类型的器件，其中，所述阻挡电介质层包括被布置成覆盖在阻挡氧化物上并与阻挡氧化物接触的第一高介电常数高K电介质层，在半导体衬底的第一区域中的第一栅极材料，以及直接接触隧道电介质层、电荷俘获层和阻挡电介质层的第一垂直侧壁间隔物；第一类型的场效应晶体管FET，该第一类型的FET包括在半导体衬底的第二区域中具有第一厚度的第一栅极电介质、第二栅极材料以及直接接触第一栅极电介质的第二垂直侧壁间隔物，其中NVM晶体管的第一垂直侧壁间隔物与FET的第二垂直侧壁间隔物之间的间隙将半导体衬底的第一区域与半导体衬底的第二区域分开；第二类型的FET，该第二类型的FET包括在半导体衬底的第二区域中具有第二厚度的第二栅极电介质和第二栅极材料；以及第三类型的FET，该第三类型的FET包括在半导体衬底的第二区域中具有第三厚度的第三栅极电介质和第二栅极材料，其中，第一栅极电介质、第二栅极电介质和第三栅极电介质都包含相同的材料；其中，第一栅极材料和第二栅极材料不同；其中，第一厚度和第二厚度与第三厚度不同；其中，所述电荷俘获层包括富氧的第一电荷俘获层、布置在第一电荷俘获层上方的相对于该第一电荷俘获层为富硅且贫氧的第二电荷俘获层，其中，在第一电荷俘获层和第二电荷俘获层之间形成薄氧化物层；以及其中，第一栅极电介质、第二栅极电介质和第三栅极电介质都包含第二高K电介质层，并且第一高K电介质层和第二高K电介质层包含完全相同的材料和完全相同的厚度；其中，第一盖层覆盖在所述电荷俘获层上，第二盖层覆盖在所述第一盖层上，所述第一盖层包括高温氧化物，所述第二盖层包括氮化硅、富硅氮化硅或富硅氮氧化硅；执行氧化工艺，以氧化所述第二盖层和或所述第一盖层的剩余部分，以形成覆盖在所述第二电荷俘获层上的阻挡氧化物；降低所述第一盖层和或所述第二盖层的氧浓度，使得所述阻挡氧化物的厚度减小，从而使所述阻挡氧化物和所述第一高K电介质层的总厚度在3nm-4.5nm的范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 经度快闪存储解决方案有限责任公司 具有高K金属栅极的嵌入式SONOS及其制造方法