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申请/专利权人：中国科学技术大学;合肥国家实验室
摘要：一种单光子源及制备方法，该单光子源包括：单光子产生模块，包括：第一衬底；第一分布式布拉格反射镜位于第一衬底上，为由第一折射率层和第二折射率层交替堆叠形成；量子点层，位于第一分布式布拉格反射镜上，在入射激光的作用下产生电子空穴对，电子空穴对复合后产生单光子；腔镜模块，位于单光子产生模块的靠近量子点层的一侧且与单光子产生模块形成真空间隔；腔镜模块包括：第二衬底；第二分布式布拉格反射镜，位于第二衬底上，为由第三折射率层和第四折射率层交替堆叠形成；第二分布式布拉格反射镜和第一分布式布拉格反射镜形成平凹式共振腔，使得与平凹式共振腔的共振频率一致的单光子在平凹式共振腔中振荡并输出。
主权项：1.一种单光子源，其特征在于，包括：单光子产生模块，包括：第一衬底；第一分布式布拉格反射镜，位于所述第一衬底上，为由第一折射率层和第二折射率层交替堆叠形成，所述第一折射率层的材料为SiO2，所述第二折射率层的材料为Ta2O5；量子点层，位于所述第一分布式布拉格反射镜上，所述量子点层包括量子点，所述量子点的材料为由GaAs和AlxGa1-xAs组成，其中，0x1，所述量子点在入射激光的作用下产生电子空穴对，所述电子空穴对复合后产生单光子；腔镜模块，位于所述单光子产生模块的靠近所述量子点层的一侧且与所述单光子产生模块形成真空间隔，所述腔镜模块面对所述单光子产生模块的一侧的中部形成有凹陷部；所述腔镜模块包括：第二衬底；第二分布式布拉格反射镜，位于所述第二衬底上，为由第三折射率层和第四折射率层交替堆叠形成，所述第三折射率层的材料为SiO2，所述第四折射率层的材料为Ta2O5；所述第二分布式布拉格反射镜和所述第一分布式布拉格反射镜形成平凹式共振腔；其中，所述第一分布式布拉格反射镜和所述第二分布式布拉格反射镜对所述量子点层产生的单光子进行多级反射，使得与所述平凹式共振腔的共振频率一致的单光子在所述平凹式共振腔中振荡并输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 合肥国家实验室 单光子源及其制备方法
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