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申请/专利权人：西安工程大学
摘要：本发明公开了中红外双异质结PIN电光调制器，包括最底部的N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底上部设置有SiO2埋氧层，SiO2埋氧层上部设置有本征P型锗硅调制区，本征P型锗硅调制区一侧由内向外设置有p+过渡区和P++阱区、另一侧由内向外设置有n+过渡区和N++阱区，P++阱区的上部设置有第一电极，N++阱的上部设置有第二电极，P++阱区、p+过渡区、N++阱区、n+过渡区及本征P型锗硅调制区的上部覆盖有Si3N4覆盖层，本发明还公开了上述电光调制器的制造工艺，本发明的电光调制器及其制造工艺，通过增大锗硅材料与硅材料的异质结接触面积，提高了调制器中调制区的载流子浓度，有效降低调制器的调制功耗。
主权项：1.中红外双异质结PIN电光调制器，其特征在于，包括最底部的N-Sub型衬底10，所述N-Sub型衬底10上部设置有SiO2埋氧层9，所述SiO2埋氧层9上部设置有本征P型锗硅调制区3；所述本征P型锗硅调制区3一侧由内向外设置有p+过渡区2和P++阱区1、另一侧由内向外设置有n+过渡区4和N++阱区5；所述P++阱区1的上部设置有第一电极7，所述N++阱5的上部设置有第二电极8；所述P++阱区1、p+过渡区2、N++阱区5、n+过渡区4及本征P型锗硅调制区3的上部覆盖有Si3N4覆盖层6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安工程大学 中红外双异质结PIN电光调制器及其制造方法
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