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申请/专利权人：广东先导稀材股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体化合物材料领域，具体是一种硫化亚锗的制备方法。本发明提供的硫化亚锗的制备方法是一种一步硫化的合成方法。本发明先采用较低的温度使锗粉与液态硫直接化合生成硫化亚锗固体，再升温至硫化亚锗熔点以上，在熔融状态下，微量未反应的硫和锗进一步化合，得到单一物相硫化亚锗产品。这样的做法不仅克服了现有技术中硫化亚锗制备步骤繁琐的问题，而且克服了现有技术中直接将两者加热至液态进行合成，硫的饱和蒸汽压过大的问题，制备的硫化亚锗纯度极高，以较低的成本实现了高价值的单一物相硫化亚锗的制备。
主权项：1.一种硫化亚锗的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在保护气体氛围下，将锗和硫以300～600℃反应1～6h，升温至700～900℃继续反应1～6h，得到硫化亚锗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导稀材股份有限公司 一种硫化亚锗的制备方法
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