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申请/专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
摘要：本发明提供一种直拉单晶电阻率免测量的赋值方法，所述直拉单晶电阻率的赋值公式为：其中，ρ为电阻率，c为杂质复合后浓度，所述杂质包括N型杂质、P型杂质以及镓杂质中的一种或几种。本发明的有益效果是相比于将单晶硅棒按一定长度规格切断成几段后，再对每一段的单晶硅棒的头尾各进行一次电阻率测量的方式，只需测量硅棒头部电阻率后，将计算电阻率所需参数代入公式中，即可给单晶硅硅棒的任意位置的电阻率赋值，操作简便，赋值速度快，可提高工作效率，而且一颗单晶硅硅棒只需测量一次电阻率，可以降低物料的损耗。
主权项：1.一种直拉单晶电阻率免测量的赋值方法，其特征在于：所述直拉单晶电阻率的赋值公式为： 其中，ρ为电阻率，c为杂质复合后浓度，所述杂质包括N型杂质、P型杂质以及镓杂质中的一种或几种。
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百度查询： 内蒙古中环晶体材料有限公司 一种直拉单晶电阻率免测量的赋值方法
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