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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：公开了在制造基于纳米带的晶体管期间采用蚀刻停止层来辅助子鳍状物去除的制造方法。示例制造方法包括在子鳍状物上方提供纳米带堆叠体，其中纳米带和子鳍状物包括一种或多种半导体材料；在所述子鳍状物的顶部上方和所述纳米带的部分周围沉积蚀刻停止层；从所述纳米带的所述部分周围去除所述蚀刻停止层；在所述纳米带的所述部分周围以及在所述子鳍状物的所述顶部上方的所述蚀刻停止层上方提供栅极电介质材料；在所述纳米带的所述部分周围沉积栅电极材料；以及执行蚀刻以去除所述子鳍状物而基本上不去除所述蚀刻停止层。
主权项：1.一种集成电路IC结构，包括：堆叠体，所述堆叠体包括彼此上下堆叠的多个纳米带；栅电极材料，所述栅电极材料包围所述堆叠体的一部分中的所述纳米带；子鳍状物替换结构，所述子鳍状物替换结构包括绝缘体材料，其中，所述子鳍状物替换结构在所述堆叠体的底部纳米带下方并且与所述堆叠体的底部纳米带基本上对准；以及蚀刻停止层，所述蚀刻停止层在所述子鳍状物替换结构和所述栅电极材料之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有用以辅助子鳍状物去除的蚀刻停止层的基于纳米带的晶体管
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