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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种高维持电压的SCR器件结构，包括衬底；位于衬底内的N阱和P阱；P阱和N阱边缘彼此紧靠，并且P阱和N阱的上表面与衬底的上表面齐平；N阱内从第一侧至第二侧依次设有第一N+区、第一P+区，第一N+区和第一P+区之间设有浅沟槽隔离；P阱内从第一侧至第二侧依次设有第二N+区、第二P+区，第二N+区和第二P+区之间设有浅沟槽隔离；P阱和N阱的分界处设有浅沟槽隔离；N阱和或P阱上靠近分界处至少设有一重掺杂区，N阱上的重掺杂区为N型，P阱上的重掺杂区为P型，重掺杂区与其相邻的第一P+区和或第二N+区之间设有浅沟槽隔离。本发明降低了BJT的共射极放大系数，从而降低SCR的正反馈现象，提高了SCR的维持电压。
主权项：1.一种高维持电压的SCR器件结构，其特征在于，至少包括：衬底；位于所述衬底内的N阱和P阱；所述P阱和所述N阱边缘彼此紧靠，并且所述P阱和所述N阱的上表面与所述衬底的上表面齐平；所述N阱内从第一侧至第二侧依次设有第一N+区、第一P+区，所述第一N+区和所述第一P+区之间设有浅沟槽隔离；所述P阱内从第一侧至第二侧依次设有第二N+区、第二P+区，所述第二N+区和所述第二P+区之间设有浅沟槽隔离；所述P阱和所述N阱的分界处设有浅沟槽隔离；所述N阱和或所述P阱上靠近所述分界处至少设有一重掺杂区，所述N阱上的所述重掺杂区为N型，所述P阱上的所述重掺杂区为P型，所述重掺杂区与其相邻的所述第一P+区和或所述第二N+区之间设有浅沟槽隔离；所述第一N+区和所述第一P+区共同连接至电压VDD；所述第二P+区和所述第二N+区共同接至电压VSS。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 高维持电压的SCR器件结构
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