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申请/专利权人：安华高科技股份有限公司
摘要：本公开涉及用于大容量电力管理集成电路产品的模拟内置自测试方案。一种电路包含包括第一及第二场效应晶体管FET的第一及第二功率装置。第一沟道位于第一FET的第一漏极与第一源极之间，且第二沟道位于第二FET的第二漏极与第二源极之间。第一及第二漏极耦合到第一公共结，且第一及第二源极耦合到第二公共结。所述第一公共结经配置以接收电流。开关控制器耦合到所述第一FET的第一栅极及所述第二FET的第二栅极以逐个且依次向所述第一及第二栅极施加偏置电压。模数转换器耦合到第一公共结及第二公共结且经配置以交替数字化所述第一沟道或所述第二沟道的电压。
主权项：1.一种电路，其包括：衬底；安置在所述衬底上的第一及第二功率装置，其中所述第一功率装置包括第一场效应晶体管FET，且所述第二功率装置包括第二FET；位于第一FET的第一漏极与第一源极之间的第一沟道区，及位于第二FET的第二漏极与第二源极之间的第二沟道区，其中：第一及第二漏极在第一公共结处彼此耦合，第一及第二源极在第二公共结处彼此耦合，且所述第一公共结经配置以接收电流；开关控制器，其耦合到所述第一FET的第一栅极及所述第二FET的第二栅极，其中所述开关控制器经配置以逐个且依次向所述第一及第二栅极施加偏置电压，其中在每一轮次处，一个FET接通，而另一个FET关断；及模数转换器ADC，其耦合到所述第一公共结及所述第二公共结，且经配置以交替数字化所述第一沟道区或所述第二沟道区的电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安华高科技股份有限公司 用于大容量电力管理集成电路产品的模拟内置自测试方案
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