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申请/专利权人：玖矽科技(无锡)有限公司
摘要：本发明公开了一种MCU内部eFLASH访问加速的电路结构及方法，涉及数字芯片设计技术领域，通过在CPU总线和FLASH控制器之间插入一个指令访问优化控制模块IAOC，IAOC一侧面向CPU，使用跟CPU相同的时钟，IAOC的另一侧面向FLASH控制器，使用跟FLASH访问周期匹配的时钟频率，根据指令特性不停地把指令代码从FLASH中转移到IAOC中。实现将MCU内部CPU的运行频率与FLASH的访问速度限制解耦，为中低端MCU的设计提供了一种新的架构方法；允许MCU以远高于FLASH访问速度的频率运行，充分发挥性能优势，实现了传统中低端MCU不可实现的功能特性；在几乎不增加芯片面积的前提下，明显提升了MCU芯片的性能。
主权项：1.一种MCU内部eFLASH访问加速的电路结构，其特征在于，包括设置在CPU总线和FLASH控制器之间的指令访问优化控制模块，所述指令访问优化控制模块包括主缓冲区、指令分析电路和影子缓冲区；所述指令访问优化控制模块与CPU连接一侧的时钟与CPU时钟相同，与FLASH控制器连接一侧的时钟与FLASH时钟相同。
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权利要求：
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