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申请/专利权人：成都高投芯未半导体有限公司
摘要：本发明提出一种IGBT正面温度获取方法与IGBT背面退火方法，包括：在目标晶圆的正面沉积钛膜；对沉积完成后的目标晶圆进行背面研磨和刻蚀；按照目标能量对目标晶圆进行背面激光退火；获取激光退火后，目标晶圆正面的钛膜方块电阻；基于钛膜方块电阻获取激光退火时目标晶圆的正面钛膜温度。以钛膜方块电阻为中介，推导激光退火与目标晶圆的正面钛膜温度之间的关系。可以获知在不同能量强度下对晶圆进行背面激光退火时晶圆正面的温度，从而确定在该能量强度下是否会损伤正面图形。
主权项：1.一种IGBT正面温度获取方法，其特征在于，所述方法包括：在目标晶圆的正面沉积钛膜；对沉积完成后的目标晶圆进行背面研磨和刻蚀；按照目标能量对所述目标晶圆进行背面激光退火；获取激光退火后，所述目标晶圆正面的钛膜方块电阻；基于所述钛膜方块电阻获取激光退火时所述目标晶圆的正面钛膜温度。
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权利要求：
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