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申请/专利权人：华东师范大学
摘要：本发明公开了一种Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频开关包括衬底、一层底电极层、一层相变材料层和一层顶电极层，每层材料均通过电子束曝光和物理气相沉积分别实现图案化和生长制备。此外，通过电脉冲光脉冲可以作为加热源精确控制温度，从而将相变材料在非晶态和晶态之间可逆切换，进而实现相变开关的截止与导通。本发明实例中的相变射频开关基于成熟的互补金属氧化物半导体工艺，不仅可以提高器件的可靠性，同时可以减少射频开关传输损耗，提高传输效率。
主权项：1.一种Sb-Te基相变射频开关的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：选取高阻SiSiO2衬底，依次经过丙酮、异丙醇和超纯水超声清洗20分钟后经电子束曝光图案化后，利用磁控溅射沉积70~200nm厚的W、Cr或者Au作为底电极层，其中底电极核心工作区域宽为2~5μm，随后超声加热去胶清洗获得底电极层；步骤2：在底电极层上根据前一步标记对准进行电子束曝光套刻图案化后，利用激光脉冲沉积100~200nm厚的Sb2Te相变材料层，其中相变材料层区域长和宽均为2~5μm，随后超声加热去胶清洗获得相变材料层；步骤3：在相变材料层上根据前一步标记对准进行电子束曝光套刻图案化后，热蒸发沉积5nm的Cr和200nm的Au作为顶电极层，其中顶电极层信号线工作区域长和宽均为2~5μm，信号线其它区域尺寸为50μm´100μm，地线区域为200μm´200μm，随后超声加热去胶清洗获得射频传输层；步骤4：在顶电极层上根据前一步标记对准进行电子束曝光套刻图案化后，磁控溅射或者等离子体增强化学气相沉积70~100nm厚的SiO2或者Si3N4，随后超声去胶清洗获得所述Sb-Te基相变射频开关。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东师范大学 一种Sb-Te基相变射频开关及其制备方法
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