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申请/专利权人：哈尔滨工业大学;哈尔滨工业大学(威海)
摘要：一种下降沿斜率程序可调的高速高压脉冲产生方法及电路，属于电子电路技术领域，本发明为解决现有目前高速高压脉冲信号的下降沿斜率可调性差，并不能满足电光调Q二氧化碳激光器要求的问题。本发明采用两个串联的MOSFET作为产生高速高压脉冲的开关器件，采用n个串联连接的延迟线芯片生成n个驱动窄脉冲对第二主MOSFET的输入电容逐次充电，使第二主MOSFET栅极电压缓慢上升；通过调节任意相邻两个延迟线芯片之间的时间间隔，实现驱动窄脉冲间的时间间隔程序可调，进而控制第二主MOSFET栅极电压上升的速度，以控制第二主MOSFET漏源间电压曲线下降沿斜率，实现开关器件输出的高速高压脉冲信号下降沿斜率可调。
主权项：1.一种下降沿斜率程序可调的高速高压脉冲产生方法，其特征在于，该方法采用第一主MOSFETM1、第二主MOSFETM2两个串联的MOSFET作为产生高速高压脉冲的开关器件，采用n个串联连接的延迟线芯片生成n个驱动窄脉冲对第二主MOSFETM2的输入电容逐次充电，n≥3，使第二主MOSFETM2栅极电压缓慢上升；通过调节任意相邻两个延迟线芯片之间的时间间隔，实现驱动窄脉冲间的时间间隔程序可调，进而控制第二主MOSFETM2栅极电压上升的速度，以控制第二主MOSFETM2漏源间电压曲线下降沿斜率，实现开关器件输出的高速高压脉冲信号下降沿斜率可调。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 哈尔滨工业大学(威海) 一种下降沿斜率程序可调的高速高压脉冲产生方法及电路
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