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申请/专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
摘要：本发明公开了一种微阵列芯片表面活性基团高密度修饰方法及活性基团密度评估方法，该修饰方法包括以下步骤：1依次采用硅烷偶联剂和超支化分子对芯片表面进行硅烷化修饰和超支化修饰，得到超支化芯片；2先在超支化芯片上连接DSS，然后连接5’端氨基修饰的ssDNA：ReadO1PT，得到最终的高密度微阵列修饰芯片。本发明通过采用烷氧基硅烷偶联剂和超支化分子共价修饰芯片，能够制备得到高活性基团密度的微阵列芯片；该芯片中，ssDNA含有能够与对应设计的核酸探针互补配对的靶标序列，且一条ssDNA只能与一个活性基团相连，从而能够通过利用核酸探针检测芯片上ssDNA的含量实现活性基团密度的检测。
主权项：1.一种微阵列芯片表面活性基团高密度修饰方法，其特征在于，包括以下步骤：1依次采用硅烷偶联剂和超支化分子对芯片表面进行硅烷化修饰和超支化修饰，得到超支化芯片：2先在超支化芯片上连接DSS，然后连接5’端氨基修饰的ssDNA：ReadO1PT，得到最终的高密度微阵列修饰芯片；该高密度微阵列修饰芯片中，ssDNA含有能够与对应设计的核酸探针互补配对的靶标序列，且一条ssDNA只能与一个活性基团相连，从而能够通过利用核酸探针检测芯片上ssDNA的含量实现活性基团密度的检测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 微阵列芯片表面活性基团高密度修饰方法及活性基团密度评估方法
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