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申请/专利权人：深圳市一博科技股份有限公司
摘要：本实用新型公开了一种BGA内差分线扇出的封装结构，一对差分线的两根线分别走在BGA芯片区域内一列过孔的两边，且在BGA芯片区域外该对差分线耦合成差分线模式，以控制阻抗；在BGA芯片区域内，两列过孔之间仅有一根差分线走线。在本实用新型中，改变BGA芯片区域内差分线的扇出结构，将一对差分线分别设置在一列过孔的两侧，差分线具有足够的空间，在BGA芯片区域内可满足差分线的特性阻抗，在BGA芯片区域内是按照单线模式进行阻抗控制，出了BGA区域后再耦合成差分线模式控制阻抗，不会产生常规的差分线扇出BGA时阻抗不匹配的问题，从而提高了差分线传递的高速信号的质量。
主权项：1.一种BGA内差分线扇出的封装结构，其特征在于，一对差分线的两根线分别走在BGA芯片区域内一列地孔的两边，且在BGA芯片区域外该对差分线耦合成差分线模式，以控制阻抗；在BGA芯片区域内，两列地孔之间仅有一根差分线走线。
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权利要求：
百度查询： 深圳市一博科技股份有限公司 一种BGA内差分线扇出的封装结构
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