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申请/专利权人：盛吉盛半导体科技(北京)有限公司
摘要：本实用新型涉及一种气流场及温度场均匀的半导体腔体，属于半导体设备技术领域，在半导体腔体的一侧开设有传片口和进气孔，半导体腔体在与传片口相对的一侧开设有抽气口，在抽气口处设置有匀流栅板；半导体腔体沿着腔体内侧面的上部设置有呈环形的上水道，半导体腔体沿着腔体内侧面的下部设置有呈环形的下水道。本方案通过在抽气口处设置匀流栅板以及在传片口的上下两侧都设置有水道，显著改善了气流场及温度场均匀性，有助于提高半导体气相沉积设备成膜质量；同时整体结构较为简单，不增加设备系统的复杂度。
主权项：1.一种气流场及温度场均匀的半导体腔体，其特征在于，在所述半导体腔体的一侧开设有传片口4和进气孔5，所述半导体腔体在与所述传片口4相对的一侧开设有抽气口6，在所述抽气口6处设置有匀流栅板7；所述半导体腔体沿着腔体内侧面的上部设置有呈环形的上水道8，所述半导体腔体沿着腔体内侧面的下部设置有呈环形的下水道9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 一种气流场及温度场均匀的半导体腔体
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