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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本公开涉及同一模块侧上的多排DRAM。一种实例设备可包含双排双列直插式存储器模块DIMM装置。所述双排DIMM装置可包含多个双排存储器芯片组，并且每一个包含第一排存储器芯片及第二排存储器芯片。所述多个双排存储器芯片组中的每一个可定位在所述双排DIMM装置的同一侧上。
主权项：1.一种包含双排存储器的设备，其包括：双排双列直插式存储器模块DIMM装置110、210、310，其包括多个双排存储器芯片组230、231，每一个包括第一排存储器芯片及第二排存储器芯片；其中所述多个双排存储器芯片组中的每一个定位在所述双排DIMM装置的同一侧上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 同一模块侧上的多排DRAM
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