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申请/专利权人:乌海市京运通新材料科技有限公司
摘要:本发明公开了一种拉制低氧单晶硅的方法,具体涉及单晶硅生长技术领域,包括S1、工艺中调整埚转速度,S2、工艺中优化氩气流量,S3、工艺中降低炉压,S4、工艺中炉压参数改为变炉压拉晶,S5、工艺参数中调整晶转参数。本发明能够降低单晶硅中的氧含量,提高晶体品质,提高引晶和放肩的成活率,降低等径中杂质的吸收,实时监控和自动调整工艺参数,提高生产效率和产品质量,通过多尺度模拟和机器学习算法,优化生长工艺,确保最优生长条件。
主权项:1.一种拉制低氧单晶硅的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:S1、工艺中调整埚转速度,将埚转速度参数从原有值调整至3.5rpm,加大主泵抽力,降低炉压,减少熔体与坩埚接触产生反应从而降低单晶硅中氧含量,同时,引入智能实时监控系统,根据坩埚内硅熔体流动情况动态调整埚转速度,以最小化氧的溶解;S2、工艺中优化氩气流量,增大氩气流量参数至100slm-120slm,使得能够及时带走挥发物,从而降低单晶硅中杂质产生的晶体缺陷与氧含量,同时,采用动态气氛控制技术,周期性改变氩气成分或引入其他惰性气体,并利用智能传感器实时调整流量;S3、工艺中降低炉压,调整炉压参数以便挥发物能够更高效地被主泵抽走,降低氧含量,并通过多尺度模拟优化来预测最佳炉压变化曲线,实现更有效的挥发物排除;S4、工艺中炉压参数改为变炉压拉晶,引晶、放肩、转肩至等径由1.8kPa变为1.3kpa,既提高引放成活率又降低了等径中杂质的吸收,使用机器学习算法自动调整引晶、放肩、转肩至等径过程中的炉压,确保最优生长条件;S5、工艺参数中调整晶转参数,增加晶转速度以减弱浮力、热毛细旋涡效应,坩埚溶解进入硅熔体中的氧减少,结合智能实时监控与多尺度模拟优化,确定最佳的晶转速度范围。
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