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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本公开涉及具有穿过有源区和栅极电极的沟槽隔离的标准基元和IC结构。标准基元或集成电路IC结构包括衬底，该衬底包括第一有源区和第二有源区。第一栅极电极位于第一有源区上方；并且，第二栅极电极位于第二有源区上方。沟槽隔离将第一有源区和第一栅极电极与第二有源区和第二栅极电极电隔离。第一有源区和第一栅极电极的第一端邻接沟槽隔离的第一侧壁，并且，第二有源区和第二栅极电极的第一端邻接沟槽隔离的第二相对的侧壁。导电带在沟槽隔离的上端上方延伸并且电耦接第一栅极电极和第二栅极电极。
主权项：1.一种集成电路IC结构，包括：衬底，其包括第一有源区和第二有源区；第一栅极电极，其位于所述第一有源区上方；第二栅极电极，其位于所述第二有源区上方；第一沟槽隔离，其将所述第一有源区和所述第一栅极电极与所述第二有源区和所述第二栅极电极电隔离，其中，所述第一有源区和所述第一栅极电极的第一端邻接所述第一沟槽隔离的第一侧壁，并且所述第二有源区和所述第二栅极电极的第一端邻接所述第一沟槽隔离的第二相对的侧壁；以及导电带，其在所述第一沟槽隔离的上端上方延伸并且电耦接所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有穿过有源区和栅极电极的沟槽隔离的标准基元和IC结构
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