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申请/专利权人：中国科学技术大学
摘要：本发明提供了一种掺铊的铜基卤化物粉末、掺铊的闪烁体薄膜、制备方法及其应用。该掺铊的铜基卤化物粉末的化学组成式包括：A3Cu2X5:TlX；其中，A表示碱金属元素，X表示卤族元素。相比未掺杂铊的铜基卤化物粉末，掺铊的铜基卤化物粉末的发光波长红移至510nm附近，且荧光量子效率高，荧光衰减寿命短。能够利用本发明提供的掺铊的铜基卤化物粉末制备闪烁体薄膜，替换商用X射线平板探测器中的闪烁体层，同时还能保证具有好的荧光性能。
主权项：1.一种掺铊的铜基卤化物粉末，其特征在于，所述掺铊的铜基卤化物粉末的化学组成式包括：A3Cu2X5:TlX；其中，A表示碱金属元素，X表示卤族元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 掺铊的铜基卤化物粉末、闪烁体薄膜、制备方法及其应用
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